Создан транзистор с пиковой рабочей частотой 1 терагерц
14.12.2007 [13:00] В последние годы компании, выпускающие процессоры, сосредотачивают усилия скорее на увеличении количества ядер, чем на росте рабочей частоты чипов. Впрочем, это совсем не означает, что работы над созданием все более быстродействующих компонентов не ведутся. Так, компания Northrop Grumman заявила о разработке транзистора, частота работы которого может достигать 1 терагерц. Транзистор с высокой подвижностью электронов (High Electron Mobility Transistor, HEMT) был создан на базе фосфида индия, способного обеспечить гораздо лучшие частотные характеристики, чем массово применяемые в полупроводниковом оборудовании кремниевые соединения.
Справедливости ради необходимо отметить, что частота в 1 терагерц для созданного транзистора является теоретически максимально достижимой, а средние значения значительно меньше, хотя и они все еще на два порядка перекрывают показатели лучших на сегодняшний день кремниевых транзисторов, работающих в составе процессорных ядер. В ходе тестов компания продемонстрировала схему трехкаскадного малошумящего усилителя миллиметрового диапазона, работающего на частоте 350 ГГц с коэффициентом усиления более чем 15 дБ.
Кроме того, прикладное применение разработанного сверхскоростного транзистора весьма ограничено, и его разработчики не предусматривают использование своего детища в качестве основы для нового поколения процессоров. Планируется, что помимо применения в военном оборудовании, новый HEMT-транзистор сможет выступать компонентом устройств атмосферного мониторинга, датчикам которых необходимо работать на частотах от 80 ГГц до 250 ГГц. Еще одна потенциальная область для использования HEMT-транзисторов – трансмиттеры беспроводных интерфейсов HDTV, где требуется поддержка частоты 60 ГГц.
Согласно заявлению Northrop Grumman, за счет небольшого количества выпускаемой продукции компания может удовлетворить заказы, используя собственные производственные мощности. Утверждается, что для изготовления транзисторов используются 35-нм нормы производства. Вместе с тем, сообщает компания, несмотря на самые передовые характеристики изделия, его себестоимость остается относительно низкой, поскольку стоимость необходимого производственного оборудования куда меньше, чем, например, расходы, связанные со строительством заводов по производству процессоров. Взято от сюда
